GaN-BPM programa modeliuoja antros harmonikos generaciją dvejuose tarpusavyje sąveikaujančiuose galio nitrido (GaN) bangolaidžiuose, sprendžiant netiesinių lygčių sistemą su nehomogeniniais nariais kvadratinio netiesiškumo nitridų kristalų terpėse. Šių lygčių sistemos sprendimui naudojamas žingsnio dalijimo greitosios Furjė transformacijos (FFT) ir Rungės-Kutos 4-pakopis (RK4) pluošto sklidimo metodas (BPM) (split-step FFT-RK4 beam propagation method (BPM)). Čia netiesinių lygčių sistema yra padalijama į tiesinių ir netiesinių lygčių (be dalinių išvestinių) sistemas. Pirmoji tiesinių lygčių sistema yra sprendžiama greitosios Furjė transformacijos būdu, o netiesinių lygčių sistema sprendžiama Rungės-Kutos metodu. Programa parašyta Intel Visual Fortran 90 kalba. GaN-BPM programos aprašyme pateikiamas dviejų tarpusavyje stipriai sąveikaujančių GaN bangolaidžių modeliavimo pavyzdys. Bangolaidžių šerdys yra sudarytos iš GaN , o apvalkalų sluoksniai iš aliuminio galio nitrido (AlGaN). Bangolaidžiuose polinės GaN ašys yra invertuojamos taip, kad sanklotos integralas būtų maksimalus ir būtų pasiekiamas maksimalus antros harmonikos generavimo efektyvumas, esant stiprios sąveikos tarp bangolaidžių sukurtam kvazi-faziniam sinchronizmui (C-QPM), kai antra harmonika yra TM2 simetrinė supermoda, o pirma harmonika yra TM0 simetrinė supermoda.